InGaAs APD-modules

Model: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Kort beskrywing:

Dit is indium gallium arsenied stortvloed fotodiode module met voorversterking kring wat dit moontlik maak om swak stroom sein te versterk en om te skakel in spanningsein om die omskakelingsproses van foton-foto-elektriese seinversterking te bereik.

kry kwotasie Aflaai

Tegniese parameter

Produk Tags

Kenmerke

Voorkant verligte plat skyfie
Hoëspoed reaksie
Hoë sensitiwiteit van detektor

Aansoeke

Laser reeks
Laser kommunikasie
Laser waarskuwing

Foto-elektriese parameter(@Ta=22±3℃）

Item #	Pakketkategorie	Deursnee van fotosensitiewe oppervlak (mm)	Spektrale reaksie reeks (nm)	Afbreekspanning (V)	Responsiwiteit M=10 λ=1550nm (kV/W)	Stygtyd (ns)	Bandwydte (MHz)	Temperatuurkoëffisiënt T_a=-40℃～85℃ （V/℃）	Geraas ekwivalente drywing (pW/√Hz)	Konsentrisiteit (μm)	Vervang tipe in ander lande
GD6510Y	TOT-8	0.2	1000–1700	30-70	340	5	70	0.12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0,21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B